El sulfuro de estaño (SnS), con una banda de energía directa de aproximadamente 1,3 eV, y un alto coeficiente de absorción óptica de más de 5 × 104 cm-1, es un nuevo y prometedor candidato para aplicaciones en la próxima generación de células solares fotovoltaicas. El SnS, fabricado a partir de elementos terrestres relativamente baratos y no tóxicos para el medio ambiente, se puede procesar en solución y es estable tanto en condiciones alcalinas como ácidas.
Al igual que los demás miembros de la familia de monocalcogenuros del grupo IV (incluyendo el SnSe, el GeS y el GeSe), el SnS en capas 2D tiene estructuras fruncidas, similares a las del fósforo negro. El SnS cristaliza en forma de una estructura ortorrómbica, en la que cada átomo de Sn(II) está coordinado con seis átomos de S – con tres enlaces Sn-S cortos dentro de la superficie y tres enlaces Sn-S más largos que conectan la superficie exterior de la misma capa.
Como análogo al fosforeno, también se ha predicho que el SnS 2D tiene una fuerte anisotropía en el plano. Sin embargo, con dos elementos de diferente electronegatividad (en comparación con el fosforeno con su único elemento), la simetría de la estructura del SnS se rinde, dando lugar a propiedades físicas aún más ricas.
Información general
| Número CAS | 1314-95-0 |
| Fórmula química | SnS |
| Peso molecular | 150.78 g/mol |
| Bandgap | 1,07 -1.32 eV |
| Sinónimos | Sulfuro de estaño, Monosulfuro de estaño, Sulfuro de estaño, Herzenbergita |
| Clasificación / Familia | Dicalcogenuros de metales de transición (TMDCs), Materiales semiconductores 2D, Nanoelectrónica, Nanofotónica, Ciencia de los materiales |
Detalles del producto
| Forma | Cristal simple |
| Preparación | Sintética – Transporte químico de vapor (CVT) |
| Pureza | ≥ 99.999% |
| Estructura | Ortorrómbica |
| Propiedades electrónicas | Semiconductor 2D |
| Punto de fusión | 882 °C (lit.) |
| Color | Marrón/amarillo |
Estructura química
Aplicaciones
En forma de películas finas de una o pocascapas finas, las nanohojas de SnS exfoliadas tienen varias aplicaciones. Entre ellas se encuentran los emisores de luz, los transistores de efecto de campo (FET), los sensores de gas, los fotodetectores y los dispositivos termoeléctricos y fotovoltaicos.
Síntesis
El sulfuro de estaño (SnS) se fabrica mediante la cristalización por transporte químico de vapor (CVT), con cristales que tienen una pureza superior al 99.999%.
Uso
Los cristales individuales de sulfuro de estaño pueden utilizarse para preparar SnS monocapa y de pocas capas mediante exfoliación mecánica o líquida.
Transferencia discoelástica utilizando PDMS
Documentación de la ficha de datos de seguridad
Hoja de datos de seguridad del cristal de sulfuro de estaño (II)
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Precios
| Tamaño | Código de producto | Descripción del tamaño* | Cantidad (EA) | Precio |
| Pequeño | M2113A10 | >10 mm2 | 1 | £396.00 |
| Medio | M2113A25 | >25 mm2 | 1 | £636.00 |
*tamaño representativo típico, las áreas/dimensiones pueden variar
Literatura y Revisiones
- Estructura de banda, propiedades ópticas y física de defectos del semiconductor fotovoltaico SnS, J. Vidal et al, Appl. Phys. Lett. 100, 032104 (2012); DIO: 10.1063/1.3675880.
- Few-Layer Tin Sulfide: A New Black-Phosphorus-Analogue 2D Material with a Sizeable Band Gap, Odd-Even Quantum Confinement Effect, and High Carrier Mobility, C. Xin et al., J. Phys. Chem. C, 120, 22663-22669 (2016); DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b06673.
- Growth of Large-Size SnS Thin Crystals Driven by Oriented Attachment and Applications to Gas Sensors and Photodetectors, J. Wang et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 9545-9551 (2016); DOI: 10.1021/acsami.6b01485.
- SnS bidimensional: un análogo del fosforeno con fuerte anisotropía electrónica en el plano, Z. Tian et al., ACS Nano, 11, 2219-2226 (2017); DOI: 10.1021/acsnano.6b08704.
- SnS nanoestructurado con propiedades ópticas anisotrópicas inherentes para una alta fotoactividad, M. Patel et al., Nanoscale, 8, 2293 (2016); DOI: 10.1039/c5nr06731f.
- Física del valle en el sulfuro de estaño (II), A. S. Rodin et al., Phys. Rew. B, 93, 045431 (2016); DOI: 10.1103/PhysRevB.93.045431.
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