Sulfid cínu (SnS) s přímým energetickým pásmovým rozpětím přibližně 1,3 eV a vysokým koeficientem optické absorpce přes 5 × 104 cm-1 je slibným novým kandidátem pro použití v nové generaci fotovoltaických solárních článků. SnS je vyroben ze zemitých, relativně levných a pro životní prostředí netoxických prvků, je zpracovatelný v roztoku a stabilní v alkalických i kyselých podmínkách.
Stejně jako ostatní členové rodiny vrstevnatých monochalkogenidů IV. skupiny (včetně SnSe, GeS a GeSe) má 2D vrstevnatý SnS puklinovou strukturu – podobně jako černý fosfor. SnS krystalizuje ve formě ortorhombické struktury, kde je každý atom Sn(II) koordinován se šesti atomy S – se třemi krátkými vazbami Sn-S uvnitř povrchu a třemi delšími vazbami Sn-S spojujícími vnější povrch téže vrstvy.
Jako analog fosforenu byla u 2D SnS také předpovězena silná anizotropie v rovině. Díky dvěma prvkům s různou elektronegativitou (ve srovnání s fosforenem s jeho jediným prvkem) se však vykresluje symetrie struktury SnS, což vede k ještě bohatším fyzikálním vlastnostem.
Obecné informace
| Číslo CAS | 1314-95-0 |
| Chemický vzorec | SnS |
| Molekulová hmotnost | 150.78 g/mol |
| Bandgap | 1,07 -1.32 eV |
| Synonyma | Sulfid cínatý,monosulfid cínatý, sulfid cínatý, herzenbergit |
| Klasifikace / rodina | Dichalkogenidy přechodných kovů (TMDC), 2D polovodičové materiály, nanoelektronika, nanofotonika, Věda o materiálech |
Detaily produktu
| Tvar | Single Crystal |
| Příprava | Syntetický -. Chemický transport par (CVT) |
| Čistota | ≥ 99.999 % |
| Struktura | Orthorhombická |
| Elektronické vlastnosti | 2D polovodič |
| Teplota tání | 882 °C (lit.) |
| Barva | hnědá/žlutá |
Chemická struktura
Použití
Ve formě jednoduchých nebo několika málotenkých vrstev, mají exfoliované nanovrstvy SnS různé aplikace. Patří mezi ně světelné zářiče, tranzistory s polem (FET), senzory plynů, fotodetektory, termoelektrická a fotovoltaická zařízení.
Syntéza
Sulfid cínu (SnS) se vyrábí pomocí krystalizace chemickým transportem par (CVT), přičemž čistota krystalů přesahuje 99 %.999 %.
Použití
Jednokrystaly sulfidu cínu lze použít k přípravě jednovrstvého a několikavrstvého SnS mechanickou nebo kapalinovou exfoliací.
Viskoelastický přenos pomocí PDMS
MSDS dokumentace
Krystal sulfidu cínu (II) MSDS list
.
Cena
| Velikost | Kód výrobku | Popis velikosti* | Množství (EA) | Cena |
| Malý | M2113A10 | >10 mm2 | 1 | £396.00 |
| Střední | M2113A25 | >25 mm2 | 1 | £636.00 |
*typická reprezentativní velikost, plochy/rozměry se mohou lišit
Literatura a přehledy
- Band-structure, optical properties, and defect physics of the photovoltaic semiconductor SnS, J. Vidal et al., Appl. Phys. Lett. 100, 032104 (2012); DIO: 10.1063/1.3675880.
- Few-Layer Tin Sulfide: Xin et al., J. Phys. Chem. C, 120, 22663-22669 (2016); DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b06673.
- Growth of Large-Size SnS Thin Crystals Driven by Oriented Attachment and Applications to Gas Sensors and Photodetectors, J. Wang et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 9545-9551 (2016); DOI: 10.1021/acsami.6b01485.
- Two-Dimensional SnS: A Phosphorene Analogue with Strong In-Plane Electronic Anisotropy, Z. Tian et al., ACS Nano, 11, 2219-2226 (2017); DOI: 10.1021/acsnano.6b08704.
- Nanostructured SnS with inherent anisotropic optical properties for high photoactivity, M. Patel et al., Nanoscale, 8, 2293 (2016); DOI: 10.1039/c5nr06731f.
- Valley physics in tin (II) sulfide, A. S. Rodin et al., Phys. rev. B, 93, 045431 (2016); DOI: 10.1103/PhysRevB.93.045431.
Podle našeho nejlepšího vědomí jsou zde uvedené technické informace přesné. Společnost Ossila však nepřebírá žádnou odpovědnost za správnost těchto informací. Zde uvedené hodnoty jsou typické v době výroby a mohou se v průběhu času a v jednotlivých šaržích lišit.